本文標題:晶圓襯底表面沉積生成單晶層的工藝
信息分類:行業動態 新聞來源：未知 發布時間：2017-10-31 22:12:17
晶圓襯底表面沉積生成單晶層的工藝
外延沉積
外延沉積是一種可以在晶圓襯底表面沉積生成單晶薄層的工藝
。晶圓襯底起著籽晶層的作用，通常籽晶層和外延層的晶體結構是
一樣的。現在，外延生長工藝已廣泛用于分立器件和集成電路的生
產。在微電子學領域，最常見的是用它制備相對襯底的隔離面型結
，換種說法，它是結隔離技術，并可形成掩埋層的工藝。技術制造
的電路具有較高的性能，如較低的寄生容抗、較高的開關速度等。
外延沉積中使用最普遍的技術是氣相外延(VPE)和分子束外延(MBE)
。
外延反應爐的設計有多種不同的方案，其中三種常用的類型：
臥式、立式和桶式外延反應爐，無論哪種類型，它們都有一個反應
室，在室內通過相應的化學反應形成外延生長層。為使反應正常持
續地進行，還需要配備加熱器(如RF加熱線圈)，以及供活性氣體和
排除廢氣的系統。
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